[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210333457.5 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102903845A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 黄如;黄英龙;蔡一茂;王阳元;余牧溪 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极。半导体型氧化物可以是半导体型金属氧化物或者半导体型非金属氧化物。本发明通过在半导体型氧化物和金属电极间形成的肖特基势垒可以有效降低Sneak电流，并且制作工艺简单，可实现器件的高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储单元，其特征在于，包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极。
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