[发明专利]一种三结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法，其采用InP做为生长衬底，在其上形成第一子电池、第二子电池InP及第三子电池In1-xAlxAs，在InP子电池的基区插入应变补偿量子阱能够有效拓宽吸收边，通过渐变缓冲层技术有效克服子电池之间的晶格匹配，降低位错密度。

主权项

一种三结太阳能电池，其包括：    第一子电池，其具有第一带隙；    第二子电池InP，位于所述第一子电池上方，其基区植入InAs/InxGa1‑xAs应变补偿超晶格量子阱，晶格常数与第一子电池匹配，具有大于第一带隙的第二带隙；    渐变缓冲层，位于所述第二子电池上方，其组分渐变，具有大于第二带隙的第三带隙；    第三子电池In1‑xAlxAs，位于所述渐变缓冲层上方，具有大于第三带隙的第四带隙，晶格常数小于第一、二子电池。