[发明专利]一种半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210322385.4 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102842619A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 马群刚 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 夏雪 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括一基板，所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极，其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层，金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧，非晶硅层位于与源极和漏极之间，多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。本发明还公开了该半导体装置的制造方法。本发明能降低设备投资，缩短生产周期，保证氧化物半导体层的结构不受到破坏，避免源极和漏极的金属成分渗入氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括一基板，所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极，其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层，金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧，非晶硅层位于与源极和漏极之间，多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。
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