[发明专利]压印存储器有效
| 申请号： | 201210319920.0 | 申请日： | 2012-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103681511A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;G03F7/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的广泛应用。本发明提出一种压印存储器（imprintedmemory），尤其是三维压印存储器（three-dimensionalimprintedmemory，简称为3D-iP）。它采用采用压印法（imprint-lithography）来录入数据。压印法也称为纳米压印法（nano-imprintlithography，简称为NIL），其采用的数据模版（template）比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 压印 存储器 | ||
【主权项】：
一种制造压印存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：1）形成一数据录入膜；2）通过压印法将数据图形从一数据模版转换到该数据录入膜中；3）形成多条与该数据录入膜耦合的地址线；其中，该数据图形代表存储于该存储器中的数据，且该数据图形具有纳米尺度，且不具有微米尺度周期性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
