[发明专利]压印存储器

权利要求书

1.一种制造压印存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）形成一数据录入膜；

2）通过压印法将数据图形从一数据模版转换到该数据录入膜中；

3）形成多条与该数据录入膜耦合的地址线；

其中，该数据图形代表存储于该存储器中的数据，且该数据图形具有纳米尺度，且不具有微米尺度周期性。

2.根据权利要求1所述的存储器制造方法，其特征还在于：该数据图形的尺寸在1纳米到100纳米之间。

3.根据权利要求1所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述压印存储器是三维印录存储器。

4.根据权利要求1所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述压印存储器是一交叉点阵列存储器。

5.根据权利要求1所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述压印法是纳米压印法。

6.根据权利要求5所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述数据模板含有多个凸起。

7.根据权利要求6所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述凸起的尺寸在1纳米到100纳米之间。

8.根据权利要求6所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述凸起具有圆柱形形状。

9.根据权利要求6所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述凸起具有圆锥形形状。

10.根据权利要求6所述的存储器制造方法，其特征还在于：所述凸起具有金字塔形状。