[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210313474.2 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103632978A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，表面具有第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部和第二鳍部顶部具有硬掩膜层；在第一鳍部和第二鳍部两侧沟槽内形成绝缘层，所述绝缘层低于第一鳍部和第二鳍部；在绝缘层表面形成侧墙，所述侧墙覆盖硬掩膜层和第一鳍、第二鳍部的侧壁所述侧墙高度与硬掩膜层顶面齐平；去除第一鳍部顶部的硬掩膜层，暴露出第一鳍部的顶面，所述顶面与第一鳍部两侧侧墙形成沟槽；在第一鳍部顶部的沟槽内进行选择性外延，形成第三鳍部，所述第三鳍部高度与第一鳍部高度不同。所述半导体结构的形成方法可以在衬底上形多个具有不同高度的鳍部，有利于根据需要来调整鳍式场效应晶体管的总的沟道宽度，提高电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一区域和第二区域，所述第一区域表面具有第一鳍部，所述第二区域表面具有第二鳍部，所述第一鳍部顶部具有第一硬掩膜层，所述第二鳍部顶部具有第二硬掩膜层；在第一鳍部和第二鳍部两侧沟槽内形成绝缘层，所述绝缘层高度低于第一鳍部和第二鳍部的高度；在绝缘层表面形成侧墙，所述侧墙分别覆盖第一硬掩膜层和第一鳍部的侧壁以及第二硬掩膜层和第二鳍部的侧壁，所述侧墙高度与第一硬掩膜层和第二硬掩膜层顶面齐平；去除第一鳍部顶部的第一硬掩膜层，暴露出第一鳍部的顶面，所述顶面与第一鳍部两侧侧墙形成沟槽；在第一鳍部顶部的沟槽内进行选择性外延，形成第三鳍部，所述第三鳍部高度与第一鳍部高度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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