[发明专利]硅片的临时键合方法有效
| 申请号： | 201210290712.2 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103035482A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）在载片上制作一环形开槽；2）在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤；3）将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；4）将硅片背面研磨减薄；5）进行硅片背面工艺；6）将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。本发明能防止在载片边缘的侧面残留粘合剂，从而在硅片和载片的解离过程中，可以解决传统工艺中因这种粘合剂残留而引起的硅片破裂问题，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 临时 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在载片上制作一环形开槽；(2)在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；(3)将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；(4)将硅片背面研磨减薄；(5)进行硅片背面工艺；(6)将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
