[发明专利]硅片的临时键合方法

权利要求书

1.一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下：

(1)在载片上制作一环形开槽；

(2)在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；

(3)将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；

(4)将硅片背面研磨减薄；

(5)进行硅片背面工艺；

(6)将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的载片材料是玻璃、蓝宝石或硅中的任一种；所述的载片直径比硅片直径大0～2毫米，所述的载片的厚度为200-2000微米。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的载片是直径为201毫米，厚度为500微米的玻璃圆片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的环形开槽，通过机械切割，或干法刻蚀，或湿法刻蚀的方法形成；所述的环形开槽的宽度为1-10毫米，深度为10-100微米，且所述环形开槽的外边框到载片边缘的距离为1-10毫米。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的环形开槽通过机械切割的方法形成；所述的环形开槽的宽度为5毫米，深度为30微米，且所述环形开槽的外边框到载片边缘的距离为5毫米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的粘合剂是指加热分解型粘合剂，或激光分解型粘合剂，或溶剂溶解型粘合剂；所述涂布粘合剂的涂布方式采用旋涂方式或喷淋方式；所述的涂布粘合剂在烘烤后的厚度为5-100微米。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的粘合剂是Brewer Scinece公司的热分解型粘合剂WaferBOND HT 10.10；所述涂布粘合剂的涂布方式采用旋涂方式；所述的涂布粘合剂在烘烤后的厚度为25微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的临时键合过程在一真空度为0.001-0.1毫帕的密闭腔体中完成，且需将硅片和载片加热至80-250℃，并在硅片或载片的一侧施加100-5000牛顿的压力，键合时间为1-20分钟。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述真空度为0.01毫帕，加热温度为160℃，在载片的一侧施加1000牛顿的压力，键合时间为5分钟。

10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，在步骤(3)完成后，硅片边缘的粘合剂会被挤到载片的环形开槽内，从而防止在载片边缘的侧面残留粘合剂。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述的硅片背面研磨减薄方法包括如下三个步骤：粗磨、细磨和抛光；所述粗磨和细磨采用不同目数的金刚砂刀轮通过机械研磨方式完成，所述抛光采用化学机械研磨法、干法刻蚀法或湿法刻蚀法；所述的研磨减薄后硅片的厚度为10-400微米。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述抛光采用湿法刻蚀法；所述的研磨减薄后硅片的厚度为80微米。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的硅片背面工艺包括刻蚀、光刻、离子注入、去胶或清洗工艺中的一种或多种工艺。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的解离是指化学溶剂解离法，或加热解离法，或激光照射解离法。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述的解离采用加热解离法，即将键合后减薄后的硅片和载片加热到200-350℃，粘合剂在此温度下发生热分解而失去粘性，从而将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上滑移解离。