[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种具有减小表面电场阶梯氧化物和分裂栅极结构的超级结沟槽式金属氧化物半导体场效应管。本发明结构可以通过调整一个厚氧化层的厚度来减轻电荷不平衡，陷阱电荷等问题的影响，更好地优化器件性能和提高制造能力。此外，本发明公布了一种超级结沟槽式金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其更可靠，成本更低。

主权项

一种超级结沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，其位于所述衬底之上，且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；多个栅沟槽，位于有源区，并从所述外延层的上表面延伸入所述外延层；第一绝缘层，衬于每个所述栅沟槽的底部和侧壁的下部分；源电极，位于每个所述栅沟槽内，并且所述源电极的下部分被所述第一绝缘层包围；第二绝缘层，作为栅氧化层，其至少衬于每个所述栅沟槽的侧壁的上部分和衬于所述源电极的侧壁的上部分，其中所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上方，并且所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层；分裂栅电极，填充于每个所述的栅沟槽的上部分，所述分裂栅电极位于所述的源电极和相邻的所述栅沟槽的侧壁之间，并且被所述的第二绝缘层包围；台面结构，位于每两个相邻的所述栅沟槽之间；第二导电类型的第一掺杂柱状区，其位于每个所述台面结构内；第一导电类型的第二掺杂柱状区，靠近所述栅沟槽的侧壁，在每个所述台面结构内与所述第一掺杂柱状区交替并列排列，并且包围所述第一掺杂柱状区；第二导电类型的体区，位于所述的台面内并靠近所述的分裂栅电极，同时所述第二导电类型的体区位于覆盖所述第一掺杂柱状区和所述第二掺杂柱状区的上表面；和第一导电类型的源区，位于所述有源区中，靠近所述体区的上表面并靠近所述分裂栅电极。