[发明专利]垂直发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210270724.9 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102751411A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直发光二极管及其制作方法。该LED结构包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；中间层，位于所述发光层之上，其材料为AlxInyGa(1-x-y)N（0≤x<1,0≤y<1），禁带宽度介于GaN与发光层之间；n型GaN基外延层，位于所述中间层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；空隙结构，形成于所述n型GaN基外延层与所述中间层之间，并且在垂直投影面上的位置与n电极对应。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
垂直发光二极管，包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；中间层，位于所述发光层之上，其材料为AlxInyGa(1‑x‑y)N（0≤x<1, 0≤y<1），禁带宽度介于GaN与发光层之间；n型GaN基外延层，位于所述中间层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；空隙结构，形成于所述n型GaN基外延层与所述中间层之间，并且在垂直投影面上的位置与n电极对应。
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