[发明专利]氮化硅薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201210266307.7 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103578937A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李展信 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及氮气，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其中通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm、通入氮气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。上述氮化硅薄膜的制造方法给出了低温条件下生成低应力氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数，实现了低温条件下的低应力氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要低应力氮化硅薄膜的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气和稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其特征在于，通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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