[发明专利]阶梯形漂移区的LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210264945.5 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035717A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阶梯形漂移区的LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有漂移区，所述漂移区的上表面具有阶梯状形貌，且从沟道到漏端方向漂移区的厚度递减，使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽。本申请还公开了其制造方法。本申请阶梯形漂移区的LDMOS器件可同时获得高击穿电压和低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 漂移 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阶梯形漂移区的LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有漂移区，其特征是，所述漂移区的上表面具有阶梯状形貌，且从沟道到漏端方向漂移区的厚度递减，使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽。
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