[发明专利]版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法有效
| 申请号： | 201210261942.6 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102760651A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 江红;孔蔚然;李冰寒;郑舒静;林晓帆 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了针对垂直浅注入层的版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法。版图逻辑运算方法包括：工艺规范比较步骤，用于对采用第一制造设备的第一工艺规范与采用第二制造设备的第二工艺规范进行比较以找出第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求，其中第一工艺规范的关键尺寸小于第二工艺规范的关键尺寸；第一版图图案形成步骤，用于按照第一工艺规范形成第一版图图案；版图图案调整步骤，用于根据第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求调整第一版图图案，由此形成第二版图图案；以及执行版图图案制造步骤，用于利用第二制造设备制造第二版图图案。根据本发明的版图逻辑运算方法在使芯片保持小面积的同时有效地降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 逻辑运算 方法 以及 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
一种针对垂直浅注入层的版图逻辑运算方法，其中，垂直浅注入是指离子注入工艺是垂直打入的；注入深度属于浅层注入，即能量低所以无法打穿隔离区；其特征在于，所述版图逻辑运算方法包括：工艺规范比较步骤，用于对采用第一制造设备的第一工艺规范与采用第二制造设备的第二工艺规范进行比较以找出第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求，其中第一工艺规范的关键尺寸小于第二工艺规范的关键尺寸；第一版图图案形成步骤，用于按照第一工艺规范形成第一版图图案；版图图案调整步骤，用于根据第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求调整第一版图图案，由此形成第二版图图案，其中所述第二版图图案满足第二制造设备的制造要求；以及执行版图图案制造步骤，用于利用第二制造设备制造第二版图图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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