[发明专利]版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法

权利要求书

1.一种针对垂直浅注入层的版图逻辑运算方法，其中，垂直浅注入是指离子注入工艺是垂直打入的；注入深度属于浅层注入，即能量低所以无法打穿隔离区；其特征在于，所述版图逻辑运算方法包括：

工艺规范比较步骤，用于对采用第一制造设备的第一工艺规范与采用第二制造设备的第二工艺规范进行比较以找出第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求，其中第一工艺规范的关键尺寸小于第二工艺规范的关键尺寸；

第一版图图案形成步骤，用于按照第一工艺规范形成第一版图图案；

版图图案调整步骤，用于根据第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求调整第一版图图案，由此形成第二版图图案，其中所述第二版图图案满足第二制造设备的制造要求；以及

执行版图图案制造步骤，用于利用第二制造设备制造第二版图图案。

2.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，所述第一制造设备是成本更高同时精度也更高的光刻设备，例如深紫外线光刻设备，所述第二制造设备是第二工艺规范对应于成本更低同时精度也更低的光刻设备，例如中紫外线光刻设备。

3.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，在所述版图图案调整步骤中，区分出为了有倾角离子植入阴影效应的浅掺杂而制定的垂直浅注入层版图设计规则与垂直浅注入层版图设计本身需要执行的规则；有些离子注入层的版图是由垂直浅注入层版图和其他层的版图经过一定的逻辑运算产生得到的，所以，垂直浅注入层版图设计规则中通常包含为了阴影效应而制定的规则。

4.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，在所述版图图案调整步骤中，忽略为了有倾角离子植入阴影效应的浅掺杂而制定的垂直浅注入层版图设计规则，而只考虑垂直浅注入层版图设计本身需要执行的规则。

5.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，在所述版图图案调整步骤中，对于为了有倾角离子植入阴影效应的浅掺杂而制定的垂直浅注入层版图设计规则，可以分为两种情况：一是多数情况下的有倾角离子植入阴影效应的浅掺杂是通过版图逻辑运算产生的层：仍然使用原始的符合第一工艺规范的垂直浅注入层原始版图进行逻辑运算产生，以使得所述调整对其不产生任何影响；二是有倾角离子植入阴影效应的浅掺杂不是产生层，而是设计人员遵循相关版图设计规则所画的原始层，因此所述调整对其也不产生任何影响。

6.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，在所述版图图案调整步骤中，把垂直浅注入层版图设计本身需要执行的规则区分成：与注入离子在半导体表面扩散强相关的规则，即与离子注入区与非注入区边界位置在器件区的相关的设计规则，以及注入离子在半导体表面扩散弱相关的规则，即与离子注入区与非注入区边界位置在隔离区相关的设计规则。

7.根据权利要求1-6所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，在所述版图图案调整步骤中，针对注入离子在半导体表面扩散弱相关的规则，即与离子注入区与非注入区边界位置在隔离区的相关的设计规则，由于该离子注入无法打穿隔离区的隔离介质，隔离区上的浅层垂直浅注入层的图形对于器件本身没有影响，并且离子在隔离区的扩散相比于在衬底的扩散可以忽略不计，所以优先地占用隔离区所在的区域，以使得隔离区区域上垂直浅注入层的线宽或者间距变小，而待调整区域尺寸变大至足以达到第二制造设备所能够满足的生产能力；隔离区域上垂直浅注入层的线宽或者间距变小后需要满足对器件区有安全距离，安全距离由掩模板制造精度，光刻过程、离子注入步骤之前对光刻胶的处理过程等有关工艺能力决定；对于接阱电位区来说，该安全距离可能为零。