[发明专利]版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设计与制造领域，更具体地说，本发明涉及一种针对垂直浅注入层(例如重注入层N+/P+)版图逻辑运算方法(以下简称版图逻辑运算方法)、以及采用了该版图逻辑运算方法的集成电路制造方法。

背景技术

版图(Layout)包含了器件尺寸，各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据，是集成电路从设计走向制造的桥梁。

由于器件的物理特性和工艺的限制，芯片上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。这些规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的；因此，不同的工艺就有不同的设计规则。设计者只能根据厂家提供的设计规则进行版图设计。

设计规则反映了性能和成品率之间可能是最好的折衷。从设计的观点出发，设计规则可以分为三部分：1)决定几何特征和图形几何尺寸的规定；2)确定掩膜制备和芯片制造中都需要的一组基本图形单元的强制性要求；3)定义设计人员设计时所用的电参数范围。

设计规则检查(Design Rules Check，DRC)指的是，在半导体布线设计完成后，需认真检查布线设计是否符合设计者所制定的规则(例如宽度、间距等)，同时也需确认所制定的规则是否符合半导体生产工艺的需求。例如，设计规则检查可检查线宽、线与线、线与元件焊盘、线与贯通孔、元件焊盘与贯通孔、贯通孔与贯通孔之间的距离是否合理，是否满足生产要求。

最终设计好的集成电路版图数据要转换成集成电路制造厂能够读懂的数据格式。目前，工业标准的数据格式主要有GDS数据流格式和CIF中间格式。与CIF相比，GDS更为普遍，几乎所有的集成电路版图设计工具都能读写GDS。GDS文件包含了版图的所有信息，包括库和所有的单元，保留了设计中的层次结构和工艺层信息。即，GDS文件是电路版图的一种文件格式，通过Cadence软件就可以看到版图的内容。

但是，在版图设计中，对于图形几何尺寸规定方面的关键尺寸(CD)，如果增大关键尺寸，则器件所占用的面积将增大，这不符合集成电路按比例缩小的趋势。

然而，在光刻工艺中，中紫外线(Middle Ultraviolet，MUV)从0.31um开始被使用。但是，随着关键尺寸进入0.13um，必须使用深紫外线(Deep Ultraviolet，DUV)。而深紫外线光刻设备远远贵于中紫外线光刻设备，随着关键尺寸进一步变小，更加昂贵的光刻设备也被引入半导体生产制造。因此高成本的光刻设备，对于半导体制造公司来说是一个成本瓶颈。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种在保持器件的小面积的同时有效地降低制造成本的版图逻辑运算方法、以及采用了该版图逻辑运算方法的集成电路制造方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种针对垂直浅注入层(例如重注入层N+/P+)的版图逻辑运算方法，其中，垂直浅注入是指离子注入工艺是垂直打入的；注入深度属于浅层注入，即能量低所以无法打穿隔离区。版图逻辑运算方法包括：工艺规范比较步骤，用于对采用第一制造设备的第一工艺规范与采用第二制造设备的第二工艺规范进行比较以找出第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求，其中第一工艺规范的关键尺寸小于第二工艺规范的关键尺寸；第一版图图案形成步骤，用于按照第一工艺规范形成第一版图图案；版图图案调整步骤，用于根据第一工艺规范与第二工艺规范之间的不同工艺要求调整第一版图图案，由此形成第二版图图案，其中所述第二版图图案满足第二制造设备的制造要求；以及执行版图图案制造步骤，用于利用第二制造设备制造第二版图图案。

优选的，在上述版图逻辑运算方法中，所述第一制造设备是成本更高同时精度也更高的光刻设备，例如深紫外线光刻设备，所述第二制造设备是第二工艺规范对应于成本更低同时精度也更低的光刻设备，例如中紫外线光刻设备。

优选的，在上述版图逻辑运算方法中，在所述版图图案调整步骤中，区分出为了有倾角离子植入阴影效应的浅掺杂(例如LDD)而制定的垂直浅注入层(例如重注入层N+/P+)版图设计规则与垂直浅注入层(例如重注入层N+/P+)版图设计本身需要执行的规则。有些离子注入层的版图是由垂直浅注入层版图和其他层的版图经过一定的逻辑运算产生得到的(例如LDD)。所以，垂直浅注入层例如重注入层N+/P+)版图设计规则中通常包含为了阴影效应而制定的规则。