[发明专利]半导体装置及形成半导体结构的方法无效
| 申请号： | 201210260017.1 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103579086A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 裘元杰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于半导体装置及形成半导体结构的方法。该方法，首先形成一第一层于一基板上。之后，形成且图案化一掩膜层于该第一层之上。蚀刻部分通过该第一层。形成一第二层于该第一层之上。以及，藉由非微影工艺蚀刻通过该第一层及该第二层。藉此本发明可以形成具有较小临界尺寸的改良接触窗孔洞/介层孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一第一层于一基板上；形成且图案化一掩膜层于该第一层之上；蚀刻部分通过该第一层；形成一第二层于该第一层之上；以及藉由非微影工艺蚀刻通过该第一层及该第二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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