[发明专利]半导体装置及形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成一第一层于一基板上；

形成且图案化一掩膜层于该第一层之上；

蚀刻部分通过该第一层；

形成一第二层于该第一层之上；以及

藉由非微影工艺蚀刻通过该第一层及该第二层。

2.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其特征在于其中：

该蚀刻在该第一层中形成一孔洞；以及

该孔洞在远离该基板的部分的一宽度大于该孔洞在接近该基板的部分的一宽度。

3.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其特征在于其中：

该孔洞的一第一侧壁包括朝向该孔洞的一中心线倾斜的第一内倾突出部分；

该孔洞的一第二侧壁包括朝向该孔洞的一中心线倾斜的第二内倾突出部分；以及

该第一内倾突出部分的一宽度与该第二内倾突出部分的一宽度相等。

4.一种半导体装置，其特征在于其包含：

一基板；

一第一层形成于该基板上，该第一层中具有一孔洞部分延伸通过该第一层；以及

一第二层形成于该基板以及该第一层中的一孔洞侧壁上，该第二层具有一厚度小于该孔洞宽度的一半。

5.一种半导体装置，其特征在于其包含：

一基板；

一第一层形成于该基板上，该第一层中具有一孔洞部分延伸通过该第一层，其中

该孔洞具有一第一部分远离该基板，且延伸通过该第一层的部分具有一第一宽度；

该孔洞具有一第二部分自该第一部分延伸朝向该基板，且延伸通过该第一层靠近该基板的部分具有一第二宽度；以及

该第二宽度小于该第一宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于其中该孔洞的一侧壁包括朝向该孔洞的一中心线倾斜的内倾突出部分。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于其中：

该基板包括一底层结构；以及

该孔洞在接近该基板的部分该宽度是小于该底层结构靠近该第一层的部分的一宽度。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于其中：

该基板包括至少两个底层结构；以及

该孔洞的该第二部分蚀刻通过该第一层及进入该两个底层结构之间的该基板。

9.一种半导体装置，其特征在于其包含：

一底层结构具有一顶表面及一顶尺寸；以及

一孔洞结构具有一阶梯状及一底尺寸，其中该孔洞的该底尺寸小于该底层结构的该顶尺寸。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于其中该孔洞结构是垂直地对称。