[发明专利]应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法有效
| 申请号： | 201210258084.X | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103035580A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，包括步骤如下：1）在硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤2）硅片和载片的临时键合；3）硅片背面研磨减薄；4）对硅片和载片的边缘进行去边处理，以去除硅片和载片边缘的粘合剂；5）进行硅片背面工艺；6）硅片和载片的解离和清洗。本发明既能防止研磨时硅片边缘裂片的问题，又能减少研磨后的薄硅片在解离时由于硅片和载片边缘残留的粘合剂而导致的硅片破裂问题，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 硅片 临时 解离 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，其特征在于，包括步骤如下：（1）在硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；（2）硅片和载片的临时键合；（3）硅片背面研磨减薄；（4）对硅片和载片的边缘进行去边处理，以去除硅片和载片边缘的粘合剂；（5）进行硅片背面工艺；（6）硅片和载片的解离和清洗。
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