[发明专利]功率半导体模块封装工艺的测试方法及系统有效

专利信息
申请号: 201210254531.4 申请日: 2012-07-20
公开(公告)号: CN103579032A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 郑利兵;花俊;方化潮;韩立;王春雷;靳鹏云 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 马敬;项京
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法及系统、一种功率半导体模块铝线键合工艺的测试方法及系统,和包括芯片焊接工艺和铝线键合工艺测试的封装工艺的测试方法及系统。本发明用电加热器件模拟工况,通过给电加热器件施加脉冲电压/电流,和/或施加循环测试电压/电流给芯片焊接后的被测件加热,或者给铝线键合后的被测件施加工作电压/电流,和/或施加循环测试电压/电流,采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试;根据被测件或其铝线键合点的温度场分布情况是否有异常,确定芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺是否有缺陷。实现了芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺的在实际工况条件下动态监测,降低了测试成本。
搜索关键词: 功率 半导体 模块 封装 工艺 测试 方法 系统
【主权项】:
一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法,其特征在于:在功率半导体模块的芯片焊接工艺完成后执行如下步骤:A、将芯片焊接工艺完成后的被测件放置在电加热器件上,使二者紧密贴合并固定;B、模拟实际工况对电加热器件施加不同的脉冲电压/电流;和/或施加循环测试电压/电流;C、采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试;D、根据被测件的温度场分布情况是否有异常,确定芯片焊接工艺是否有缺陷。
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