[发明专利]功率半导体模块封装工艺的测试方法及系统有效
申请号: | 201210254531.4 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN103579032A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 郑利兵;花俊;方化潮;韩立;王春雷;靳鹏云 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 马敬;项京 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法及系统、一种功率半导体模块铝线键合工艺的测试方法及系统,和包括芯片焊接工艺和铝线键合工艺测试的封装工艺的测试方法及系统。本发明用电加热器件模拟工况,通过给电加热器件施加脉冲电压/电流,和/或施加循环测试电压/电流给芯片焊接后的被测件加热,或者给铝线键合后的被测件施加工作电压/电流,和/或施加循环测试电压/电流,采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试;根据被测件或其铝线键合点的温度场分布情况是否有异常,确定芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺是否有缺陷。实现了芯片焊接工艺和/或铝线键合工艺的在实际工况条件下动态监测,降低了测试成本。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 封装 工艺 测试 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种功率半导体模块芯片焊接工艺的测试方法,其特征在于:在功率半导体模块的芯片焊接工艺完成后执行如下步骤:A、将芯片焊接工艺完成后的被测件放置在电加热器件上,使二者紧密贴合并固定;B、模拟实际工况对电加热器件施加不同的脉冲电压/电流;和/或施加循环测试电压/电流;C、采用红外热像仪对被测件进行温度场分布测试;D、根据被测件的温度场分布情况是否有异常,确定芯片焊接工艺是否有缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造