[发明专利]高纵横比MEMS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210252274.0 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103288043A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 李德浩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纵横 mems 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供其上具有结构的衬底，所述结构由间隙间隔开，所述间隙包括填充氧化物的间隙和包括空隙并内衬氧化物的间隙，并且所述结构中的至少一些结构具有形成在其下方的释放氧化物衬里；以及在HF蒸汽中进行蚀刻，以去除所述间隙中的氧化物和所述释放氧化物衬里。
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