[发明专利]高纵横比MEMS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供其上具有结构的衬底，所述结构由间隙间隔开，所述间隙包括填充氧化物的间隙和包括空隙并内衬氧化物的间隙，并且所述结构中的至少一些结构具有形成在其下方的释放氧化物衬里；以及

在HF蒸汽中进行蚀刻，以去除所述间隙中的氧化物和所述释放氧化物衬里。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构包括具单晶硅部分和多晶硅部分的硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构是Si基结构，并且包括部分锗化硅结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻包括在大气压下和在约60°F至80°F范围内的温度下进行蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙包括纵横比大于200∶1的间隙。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构包括Si基结构，在所述蚀刻之后，所述结构包括至少一个MEMS悬臂结构和至少一个固定电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个悬臂结构和所述至少一个固定电极位于相同平面中，所述至少一个固定电极横向设置为与所述至少一个悬臂结构相邻。

8.一种用于形成MEMS(微机电系统)器件的方法，所述方法包括：

提供具有设置在其上的分离的硅基部分的衬底，所述分离的硅基部分通过氧化物插塞和内衬氧化物衬里的开口间隔开；

在HF蒸汽中蚀刻所述氧化物插塞和所述氧化物衬里，从而在所述分离的硅基部分之间产生间隙，所述间隙通过所述分离的硅基部分的相对侧来限定；以及

进一步进行处理，以通过所述分离的硅基部分中的至少一些形成MEMS器件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述MEMS器件是由晶体硅形成的悬臂或其他挂梁型结构，并且所述分离的硅基部分进一步包括与所述MEMS器件相邻设置的由多晶硅形成的固定横向电极。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在所述衬底和所述分离的硅基部分之间的下层氧化物材料，并且所述蚀刻进一步蚀刻所述下层氧化物材料。