[发明专利]通过Ar溅射进行硬质掩膜CD控制的方法有效
| 申请号： | 201210252048.2 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102903609A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李元哲;傅乾 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/308;C23C14/04;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在等离子体处理腔室中通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法。提供硅溅射以使硅从硅基蚀刻层溅射到带图案硬质掩膜的侧壁上以在带图案硬质掩膜上形成侧壁。通过带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 ar 溅射 进行 硬质 cd 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种在等离子体处理腔室通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法，所述方法包括：提供硅溅射以将硅从所述硅基蚀刻层溅射到所述带图案硬质掩膜的侧壁上以在所述带图案硬质掩膜上形成侧壁；以及通过所述带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
