[发明专利]通过Ar溅射进行硬质掩膜CD控制的方法

权利要求书

1.一种在等离子体处理腔室通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法，所述方法包括：

提供硅溅射以将硅从所述硅基蚀刻层溅射到所述带图案硬质掩膜的侧壁上以在所述带图案硬质掩膜上形成侧壁；以及

通过所述带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述提供所述硅溅射包括：

使溅射气体流入所述等离子体处理腔室中，其中所述溅射气体包括惰性气体并且无蚀刻剂；

使所述溅射气体形成等离子体以生成惰性气体离子；以及

提供偏压，所述偏压用足够的能量将所述等离子体中的所述惰性气体离子加速至所述硅基蚀刻层以使硅从所述硅基蚀刻层溅射。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述提供偏压提供大于200伏的偏压。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述溅射气体主要包含至少一种惰性气体。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述至少一种惰性气体包括氩气。

6.如权利要求2所述的方法，其中，所述溅射气体含有至少95%的氩气。

7.如权利要求2所述的方法，进一步包括：使所溅射的硅形成氧化硅。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述使所溅射的硅形成氧化硅包括：

在提供所述硅溅射之后以及在蚀刻所述蚀刻层之前，使氧气流入所述等离子体处理腔室中；以及

使所述氧气形成等离子体。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述使所溅射的硅形成氧化硅进一步包括：提供小于200伏的偏压。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述使所溅射的硅形成氧化硅包括：在提供所述硅溅射期间以及在蚀刻所述蚀刻层之前，使氧气流入所述等离子体处理腔室中。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述溅射气体主要包含至少一种惰性气体和氧气。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述至少一种惰性气体包括氩气。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述溅射气体含有至少95%的氩气。

14.如权利要求10所述的方法，其中，所述溅射气体主要包含90%的至少一种惰性气体，并且其余主要包含O₂。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述至少一种惰性气体为氩气。

16.一种在等离子体处理腔室通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法，所述方法包括：

提供硅溅射以使硅从所述硅基蚀刻层溅射到所述带图案硬质掩膜的侧壁上以在所述带图案硬质掩膜上形成侧壁，包括：

使溅射气体流入所述等离子体处理器腔室中，其中所述溅射气体包括氩气并且无蚀刻剂；

使所述溅射气体形成等离子体以产生氩离子；

提供大于200伏的偏压，所述偏压用足够的能量将所述等离子体中的所述氩离子加速至所述硅基蚀刻层以使硅从所述硅基蚀刻层溅射；以及

停止所述溅射气体的流动；以及

通过所述带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。

17.如权利要求16所述的方法，进一步包括：使所溅射的硅形成氧化硅。

18.如权利要求16所述的方法，其中，所述溅射气体主要包含90%的Ar。