[发明专利]一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件制备方法，首先制备SOI衬底，在衬底上刻蚀双极器件区域，在该区域利用化学汽相淀积（CVD）方法和自对准工艺制备双多晶SiGe HBT器件，接着光刻MOS有源区，在该区域连续生长Si缓冲层、应变SiGe层、本征Si层，分别形成NMOS和PMOS器件有源区，在NMOS和PMOS器件有源区淀积SiO2和多晶硅，通过刻蚀制备长度为22～350nm的伪栅，采用自对准工艺形成NMOS和PMOS器件的轻掺杂源漏（LDD）和源漏，然后去除伪栅，制备形成栅介质氧化镧（La2O3）和金属钨（W）形成栅极，最后金属化，光刻引线，构成BiCMOS集成电路。本发明的制备过程采用自对准工艺，MOS结构中采用了轻掺杂源漏（LDD）结构，有效地抑制了热载流子对器件性能的影响，提高了器件的可靠性。

主权项

一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件，其特征在于，所述BiCMOS集成器件为双多晶SiGe HBT器件，应变SiGe平面沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。