[发明专利]发光二极管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210239427.8 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390712A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 朱长信;余国辉;庄文宏 | 申请（专利权）人： | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含基板、发光结构、至少一表面等离子体结构、以及第一电极与第二电极。发光结构设于基板上，且包含依序堆叠在基板上的第一电性半导体层、有源层、第二电性半导体层以及第一导电层。有源层位于第一电性半导体层的第一部分上且暴露出第一电性半导体层的第二部分。第一电性半导体层与第二电性半导体层的电性不同。此至少一表面等离子体结构凹设于第一导电层与第二电性半导体层中。第一电极与第二电极分别设于第一电性半导体层的第二部分与第一导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包含：基板；发光结构，设于该基板上，且包含依序堆叠在该基板上的第一电性半导体层、有源层、第二电性半导体层以及第一导电层，其中该有源层位于该第一电性半导体层的第一部分上且暴露出该第一电性半导体层的第二部分，该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同；至少一表面等离子体结构，凹设于该第一导电层与该第二电性半导体层中；以及第一电极与第二电极，分别设于该第一电性半导体层的该第二部分与该第一导电层上。
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