[发明专利]发光二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包含：

基板；

发光结构，设于该基板上，且包含依序堆叠在该基板上的第一电性半导体层、有源层、第二电性半导体层以及第一导电层，其中该有源层位于该第一电性半导体层的第一部分上且暴露出该第一电性半导体层的第二部分，该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同；

至少一表面等离子体结构，凹设于该第一导电层与该第二电性半导体层中；以及

第一电极与第二电极，分别设于该第一电性半导体层的该第二部分与该第一导电层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该至少一表面等离子体结构包含多个表面等离子体条或多个表面等离子体点。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该发光结构还包含至少一凹槽设于该第一导电层与该第二电性半导体层中，且该至少一表面等离子体结构位于该至少一凹槽中，其中该至少一表面等离子体结构包含依序堆叠的第一绝缘层、共振金属层与第二绝缘层。

4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该至少一凹槽的底面与该有源层之间的距离从至

5.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该至少一表面等离子体结构的底面的宽度从10nm至5μm。

6.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该共振金属层的厚度从至之间。

7.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该第一绝缘层与该第二绝缘层的材料包含二氧化钛、氧化铝、二氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中该第一绝缘层的折射率大于该第二绝缘层的折射率。

9.如权利要求3所述的发光二极管结构，还包含第二导电层，覆盖在该第一导电层与该至少一表面等离子体结构上。

10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中每一该第一导电层与该第二导电层为透明导电层。

11.如权利要求9所述的发光二极管结构，其中该第一导电层为欧姆反射层，且该第二导电层为阻障层。

12.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该至少一表面等离子体结构包含共振金属层。

13.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该至少一表面等离子体结构包含绝缘层；以及共振金属层，覆盖在该绝缘层上。

14.一种发光二极管结构的制造方法，包含：

形成一发光结构于一基板上，其中该发光结构包含依序堆叠在该基板上的第一电性半导体层、有源层、第二电性半导体层以及第一导电层，该有源层位于该第一电性半导体层的第一部分上且暴露出该第一电性半导体层的第二部分，该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同；

形成至少一凹槽于该第一导电层与该第二电性半导体层中；

形成至少一表面等离子体结构于该至少一凹槽中；以及

形成一第一电极与一第二电极分别位于该第一电性半导体层的该第二部分与该第一导电层上。

15.如权利要求14所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该至少一表面等离子体结构的步骤包含依序形成第一绝缘层、共振金属层与第二绝缘层填覆在该至少一凹槽中。

16.如权利要求15所述的发光二极管结构的制造方法，于形成该至少一表面等离子体结构的步骤与形成该第一电极与该第二电极的步骤之间，还包含形成一第二导电层覆盖在该第一导电层与该至少一表面等离子体结构上。

17.如权利要求16所述的发光二极管结构的制造方法，其中每一该第一导电层与该第二导电层为透明导电层。

18.如权利要求16所述的发光二极管结构的制造方法，其中该第一导电层为一欧姆反射层，且该第二导电层为阻障层。

19.如权利要求14所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该至少一表面等离子体结构的步骤包含形成一共振金属层覆盖在该至少一凹槽上。

20.如权利要求14所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该至少一表面等离子体结构的步骤包含：

形成一绝缘层覆盖于该至少一凹槽上；以及

形成一共振金属层覆盖于该绝缘层上。