[发明专利]用于结实耐用封装的带有增强型上部接头结构的结型势垒肖特基二极管及其方法

摘要

一种带有增强型上部接头结构的半导体结型势垒肖特基二极管。参照X-Y-Z坐标系，结型势垒肖特基二极管具有平行于X-Y平面的半导体衬底。位于半导体衬底上方的有源器件区，具有带有Z-方向电流的结型势垒肖特基二极管。半导体衬底上方的外围保护区包围着有源器件区。有源器件区具有有源下部半导体衬底以及在有源下部半导体结构上方的增强型有源上部接头结构。增强型有源上部接头具有顶部接触金属，向下延伸，并与增强型上部接头结构的底部电传导；顶部接触金属内嵌入的底部支撑结构由硬材料制成，嵌入底部支撑结构向下延伸到增强型上部接头结构的底部。当结型势垒肖特基二极管封装时，在顶部接触金属上方一旦产生接合力，那么嵌入底部支撑结构就会增强增强型上部接头结构抵御顶部接触金属可能的细微破裂，降低结型势垒肖特基二极管的漏电流。

主权项

一种带有增强型上部接头结构的半导体结型势垒肖特基二极管，其特征在于，参照X‑Y‑Z笛卡尔坐标系，该结型势垒肖特基二极管包含：一个半导体衬底，其主平面平行于X‑Y平面；一个有源器件区，在半导体衬底上方，具有一个内置的结型势垒肖特基二极管，其主器件电流平行于Z‑轴；一个外围保护区，在半导体衬底上方，处于有源器件区附近并包围有源器件区，所述的外围保护区结构用于提高内置的结型势垒肖特基二极管的击穿电压；所述的有源器件区包括一个有源下部半导体结构以及一个位于该有源下部半导体结构之上的增强型有源上部接头结构，有源下部半导体结构和增强型上部接头结构之间的结构构成所述的结型势垒肖特基二极管；所述的增强型上部接头结构包含：一个顶部接触金属，向下延伸并与增强型上部接头结构的底部电传导；以及一个嵌入底部支撑结构，由硬材料制成并嵌入顶部接触金属内，所述的嵌入底部支撑结构还向下延伸到增强型上部接头结构底部；以至于在结型势垒肖特基二极管的后续封装时，一旦在顶部接触金属上产生向下的机械接合力，那么嵌入底部支撑结构将用于加强增强型上部接头结构抵御顶部接触金属可能的细微破裂，降低内置的结型势垒肖特基二极管的漏电流。