[发明专利]用于集成有电容器的FinFET的结构和方法有效
| 申请号： | 201210238739.7 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103378153A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 胡嘉欣;张胜杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供用于集成有电容器的FinFET的结构和方法，其中，半导体结构的一个实施例包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在半导体衬底中。STI部件包括设置在第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在第二区域中并具有大于第一深度的第二厚度T2的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷。半导体结构还包括：多个鳍式有源区，位于半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在鳍式有源区和STI部件上，其中，一个导电部件覆盖第一区域中的STI部件的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 电容器 finfet 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在所述半导体衬底中，其中，所述STI部件包括设置在所述第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在所述第二区域中并具有大于所述第一厚度T1的第二厚度T2的第二部分，所述STI部件的所述第一部分相对于所述STI部件的所述第二部分凹陷；多个鳍式有源区，位于所述半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在所述鳍式有源区和所述STI部件上，其中，一个导电部件覆盖所述第一区域中的所述STI部件的所述第一部分。
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