[发明专利]背接触式太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201210236070.8 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN103531653A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 谢伯宗;赖光杰;李可欣;黄世贤 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种背接触式太阳能电池及其制造方法,该电池包括:一包括一第一面的基板,该第一面具有一第一区域、一第二区域以及一位于该第一区域与该第二区域之间的第三区域,该第一区域、该第二区域及该第三区域共同形成一个二阶阶梯结构。该电池还包括分别位于该第一区域与该第二区域的一第一掺杂区与一第二掺杂区,以及一位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区的电极单元。该制造方法主要是通过两次的蚀刻步骤来形成该二阶阶梯结构,借此能使该电极单元的接触金属隔离制程易于进行,有助于减少制程步骤并使制程简单化。 | ||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背接触式太阳能电池,包括:一个包括一个第一面的基板、一个第一掺杂区、一个第二掺杂区以及一个位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区的电极单元,其特征在于,该基板的第一面具有一个第一区域、一个第二区域以及一个位于该第一区域与该第二区域之间的第三区域,该第一区域、该第二区域及该第三区域共同形成一个二阶阶梯结构,该第一掺杂区位于该第一区域,该第二掺杂区位于该第二区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的