[发明专利]背接触式太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种背接触式太阳能电池，包括：一个包括一个第一面的基板、一个第一掺杂区、一个第二掺杂区以及一个位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区的电极单元，其特征在于，该基板的第一面具有一个第一区域、一个第二区域以及一个位于该第一区域与该第二区域之间的第三区域，该第一区域、该第二区域及该第三区域共同形成一个二阶阶梯结构，该第一掺杂区位于该第一区域，该第二掺杂区位于该第二区域。

2.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，该电极单元包括一个电连接该第一掺杂区的第一电极以及一个电连接该第二掺杂区的第二电极，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的其中一个为p型半导体，另一个为n型半导体。

3.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，该第一面的二阶阶梯结构包括二个侧面段，所述侧面段的其中至少一个的延伸角度为75度至90度，所述延伸角度为所述侧面段与邻接的阶梯结构的上表面之间的夹角。

4.根据权利要求1所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，该基板还包括一个与该第一面相对的第二面，该基板的第一区域为该二阶阶梯结构的最远离该第二面的一阶，该第二区域为该二阶阶梯结构的最靠近该第二面的一阶。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的背接触式太阳能电池，其特征在于，该背接触式太阳能电池还包括一个位于该基板的第一面与该电极单元之间的钝化层，该钝化层具有可供该电极单元分别电连接于该第一掺杂区与该第二掺杂区的穿孔。

6.一种背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

步骤A：在一个基板的一个第一面形成一个掺杂层；

步骤B：进行第一次蚀刻，使该第一面形成一个一阶阶梯结构，且该掺杂层的对应于该一阶阶梯结构的部位被移除，该掺杂层的未被移除的部位形成一个第一掺杂区；

步骤C：进行第二次蚀刻，使该一阶阶梯结构形成一个二阶阶梯结构；

步骤D：在该二阶阶梯结构上形成一个与该第一掺杂区分开设置的第二掺杂区；

步骤E：形成一个位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区的电极单元。

7.根据权利要求6所述的背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤B是先在该掺杂层的表面上形成一个第一阻挡层，再移除该第一阻挡层及该掺杂层的局部部位，接着蚀刻该基板而形成该一阶阶梯结构，并且移除该第一阻挡层。

8.根据权利要求7所述的背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤C是以化学气相沉积方式在该第一掺杂区及该一阶阶梯结构的表面形成一个第二阻挡层，再移除该第二阻挡层的对应于该一阶阶梯结构的部位，接着蚀刻该基板而形成该二阶阶梯结构。

9.根据权利要求6所述的背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤E的该电极单元以非等向性的沉积方式形成。

10.根据权利要求9所述的背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤E是先在该第一掺杂区、该第二掺杂区及该二阶阶梯结构的裸露的表面上形成一个包括多个穿孔的钝化层，该电极单元沉积在该钝化层上，并包括一个第一电极及一个第二电极，该第一电极及该第二电极经由所述穿孔而分别电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区。

11.根据权利要求8所述的背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该步骤C是以激光蚀刻方式移除该第二阻挡层的对应于该一阶阶梯结构的部位。

12.根据权利要求8所述的背接触式太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二阻挡层还能作为形成该第二掺杂区的时候的掺杂阻挡层，以避免该第二掺杂区的载子扩散到该第一掺杂区。