[发明专利]一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法有效
申请号: | 201210223312.X | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN102747337A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 董策舟;王宏涛;李倩倩;冯琼;刘德重;赵思远 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/02;C23C16/56 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法。本发明首先向反应系统通入具有还原性质的气体,在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除。其次向反应系统通入碳源气体,其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子,碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层。然后快速冷却高温反应炉,使反应系统温度骤降,低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低,碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜。最后将反应基底上的非晶碳薄膜在一定温度下进行表面退火处理,非晶碳薄膜的质量进一步提高。本发明利用金属在不同温度下对碳原子的溶解和析出作用,工艺简单,操作方便,适合大面积低成本制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 大面积 质量 非晶碳 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法,其特征在于该方法包括以下步骤: 步骤1:向反应系统通入具有还原性质的气体,在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除;步骤2:向反应系统通入碳源气体,其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子,碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层;步骤3:快速冷却高温反应炉,使反应系统温度骤降至常温,低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低,碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜;步骤4:将反应基底上的非晶碳薄膜在设定温度下进行表面退火处理,非晶碳薄膜的质量进一步提高。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的