[发明专利]一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201210223312.X 申请日: 2012-06-27
公开(公告)号: CN102747337A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 董策舟;王宏涛;李倩倩;冯琼;刘德重;赵思远 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/02;C23C16/56
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法。本发明首先向反应系统通入具有还原性质的气体,在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除。其次向反应系统通入碳源气体,其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子,碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层。然后快速冷却高温反应炉,使反应系统温度骤降,低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低,碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜。最后将反应基底上的非晶碳薄膜在一定温度下进行表面退火处理,非晶碳薄膜的质量进一步提高。本发明利用金属在不同温度下对碳原子的溶解和析出作用,工艺简单,操作方便,适合大面积低成本制备。
搜索关键词: 一种 制备 大面积 质量 非晶碳 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法,其特征在于该方法包括以下步骤: 步骤1:向反应系统通入具有还原性质的气体,在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除;步骤2:向反应系统通入碳源气体,其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子,碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层;步骤3:快速冷却高温反应炉,使反应系统温度骤降至常温,低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低,碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜;步骤4:将反应基底上的非晶碳薄膜在设定温度下进行表面退火处理,非晶碳薄膜的质量进一步提高。
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