[发明专利]半导体电容器的形成方法有效
| 申请号： | 201210214979.3 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102723262A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体电容器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的材料为掺杂多晶硅；在所述第一多晶硅层表面沉积第一子介质层；在形成第一子介质层后，将所述半导体衬底、第一多晶硅层和第一子介质层置于氮气中加热；在氮气加热之后，在所述第一子介质层表面干法氧化形成第二子介质层；在所述第二子介质层的表面形成第二多晶硅层。所述半导体电容器的形成方法在不改变现有的逻辑晶体管电路热预算的基础上使所形成的半导体电容器的介质层厚度更易控制，从而使所形成的半导体电容器的更精确。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体电容器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的材料为掺杂多晶硅；在所述第一多晶硅层表面沉积第一子介质层；在形成第一子介质层后，使所述半导体衬底、第一多晶硅层和第一子介质层于氮气中加热；在氮气加热之后，在所述第一子介质层表面干法氧化形成第二子介质层；在所述第二子介质层的表面形成第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
