[发明专利]阵列基板及其制造方法、以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201210207796.9 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN103515375A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 吴松 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示器制备领域,提供了一种阵列基板及其制造方法、以及显示装置。本发明的阵列基板包括:像素区、数据线端子区以及栅线端子区;像素区包括:像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、连接电极、以及公共电极;数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子,数据线与源漏电极同层同材料;栅线端子区包括栅线、绝缘层、以及栅线连接端子,栅线与栅极同层同材料,栅线连接端子与所述源漏电极同层同材料。本发明中通过利用多阶调掩膜版(MTM,Multi Tone Mask)与光刻胶离地剥离(lift off)技术,达到减少掩膜版曝光次数的效果,降低了制造成本,提高了生产效率。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 以及 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:像素区、数据线端子区以及栅线端子区;所述像素区包括:像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、用于将所述像素电极和TFT的漏极电连接的连接电极、以及公共电极,所述像素电极设置在基板的上表面,所述TFT的栅极和连接电极同层同材料,所述源漏电极与所述栅极之间形成有半导体层,所述半导体层与所述栅极之间形成有绝缘层,所述像素电极通过所述连接电极与所述TFT的漏极电连接,所述公共电极包括与所述源漏电极同层同材料的部分,且与所述源漏电极同层同材料的部分与所述像素电极之间依次形成有所述半导体层以及绝缘层;所述数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子,所述数据线与所述源漏电极同层同材料;所述栅线端子区包括栅线、绝缘层、以及栅线连接端子,所述栅线与所述栅极同层同材料,所述栅线连接端子与所述源漏电极同层同材料。
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