[发明专利]阵列基板及其制造方法、以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器制备领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、以及包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

近年来显示技术发展很快，平板显示器以其完全不同的显示和制造技术使之同传统的视频图像显示器有很大的差别。平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点符合未来图像显示器发展的必然趋势。目前主要的平板显示器包括:薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)、等离子体显示器(Plasma display panel)、有机发光二极管显示器(Organic light-emitting diode displays)等。

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前，TFT-LCD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑（台式和笔记本）、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等，是目前任何一种平板显示和CRT无法企及的。

对于TFT-LCD来说，TFT阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。尤其是构图时的掩膜工艺复杂、成本极高，一个TFT阵列基板制备过程中使用的掩膜版数目（即构图次数）就成了衡量制造工艺繁简程度的重要标准。也因此，减少TFT阵列基板制造过程中使用掩膜及曝光的次数成了改进制造工艺的关键问题。

减少制备过程中掩膜使用次数有多种方法，目前最常用的有灰阶调掩膜版（Gray Tone Mask，GTM）与半阶调掩膜版（HalfTone Mask，HTM）。利用这些技术，目前的TFT阵列基板制备过程中常用的Mask及曝光的次数为4次，即3次普通Mask及一次GTM或HTM。尽管已经将Mask及曝光次数减少到4次，但仍然存在着产能及设备利用率不高等缺陷。

发明内容

（一）要解决的技术问题

针对现有技术的缺点，本发明为了解决现有技术中阵列基板制备时利用掩膜版的次数较多的问题，提供了一种阵列基板及其制造方法、以及包括该阵列基板的显示装置。

（二）技术方案

为此解决上述技术问题，本发明具体采用如下方案进行：

首先，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：像素区、数据线端子区以及栅线端子区；所述像素区包括：像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、连接电极、以及公共电极，所述像素电极设置在基板的上表面，所述TFT的栅极和连接电极同层同材料，所述源漏电极与所述栅极之间形成有半导体层，所述半导体层与所述栅极之间形成有绝缘层，所述像素电极通过所述连接电极与所述TFT的漏极电连接，所述公共电极包括与所述源漏电极同层同材料的部分，且与所述源漏电极同层同材料的部分与所述像素电极之间依次形成有所述半导体层以及绝缘层；所述数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子，所述数据线与所述源漏电极同层同材料；所述栅线端子区包括栅线、绝缘层、以及栅线连接端子，所述栅线与所述栅极同层同材料，所述栅线连接端子与所述源漏电极同层同材料。

优选地，所述阵列基板还包括钝化层，形成于所述像素区的最上层、所述数据线端子区的最上层除所述数据线连接端子外的部分、以及栅线端子区的最上层除所述栅线连接端子外的部分。

优选地，所述阵列基板包括至少一个像素区，每一所述像素区包括至少一个TFT，所述TFT设置在所述像素区的边缘。

其次，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括步骤：

使用两次多阶调掩膜工艺和两次光刻胶离地剥离处理得到上述的阵列基板。

优选地，所述两次多阶调掩膜工艺和两次光刻胶离地剥离处理为：

在基板上依次形成透明薄膜层和栅金属层；

在基板上形成光刻胶后，利用多阶调掩膜工艺进行第一次曝光，经过显影，使保留的光刻胶厚度分为3级；

对没有光刻胶保留的栅金属层和透明薄膜层进行刻蚀；

对保留的光刻胶进行第一次刻蚀，将此时光刻胶保留最薄处的光刻胶去除，同时使其余区域保留的光刻胶相应变薄；

对去除的光刻胶保留的最薄区域对应的栅金属层进行刻蚀；