[发明专利]半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法

摘要

本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。

主权项

一种半导体压力传感器，其特征在于，具备：第一基板，在主表面具有凹部以及对准标记；以及第二基板，形成在所述第一基板的所述主表面上，具有以覆盖所述第一基板的所述凹部内的空间上的方式设置的隔板以及在所述隔板上设置的应变计电阻，所述对准标记以从所述第二基板露出的方式设置。