[发明专利]鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的图案化工艺

摘要

本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对集成电路器件上的多个部件进行图案化的方法，包括：提供包括表面的衬底，该衬底具有第一层和第二层；在第一层和第二层上方的第三层中形成多个伸长凸起；以及在多个伸长凸起的上方形成第一图案化层。蚀刻多个伸长凸起，以形成伸长凸起的第一图案，第一图案包括至少一个内角。该方法还包括在第一图案的伸长凸起上方形成第二图案化层以及在第一图案的伸长凸起上方形成第三图案化层。使用第二和第三图案化层蚀刻多个伸长凸起，以形成伸长凸起的第二图案，第二图案包括至少一个内角。

主权项

一种用于以非矩形图案对多个部件进行图案化的方法，所述方法包括：设置衬底，所述衬底包括具有多个伸长凸起的表面，伸长凸起在第一方向上延伸；使用第一掩模在所述多个伸长凸起上设置第一图案化掩模层；使用所述第一图案化掩模层对所述多个伸长凸起进行图案化，以形成伸长凸起的第一修改图案；使用第二掩模在所述伸长凸起的第一修改图案上设置第二图案化掩模层，其中，所述第二图案化掩模层与所述第一方向垂直地进行延伸，并且通过后续图案化工艺来改变所述非矩形图案内的所述多个伸长凸起的至少一部分；使用第三掩模在所述伸长凸起的第一修改图案上设置第三图案化掩模层，所述第三图案化掩模层具有与所述第二图案化掩模层不同的材料，并且所述第三图案化掩模层被定位为防止通过所述后续图案化工艺改变所述伸长凸起的一部分；以及使用第二掩模层和第三掩模层对所述伸长凸起的所述第一修改图案执行所述后续图案化工艺，从而以所述非矩形图案形成多个部件。