[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210202201.0 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103515445A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韩德栋;蔡剑;刘力锋;王薇;王亮亮;耿友峰;王漪;张盛东;刘晓彦;康晋锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底（1）、栅电极（2）、栅介质层（3）、沟道层（4）、源电极和漏电极（5），其中，在所述衬底（1）上形成所述栅电极（2），在所述栅电极（2）上形成所述栅介质层（3），在所述栅介质层（3）上形成所述沟道层（4），以及在所述沟道层（4）的两端分别形成所述源电极和漏电极（5），所述沟道层（4）的材料采用掺铝的氧化锌半导体材料，其中铝的含量为1%~10%（质量）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210202201.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种干洗店管理方法
- 下一篇：电网低频减载实控容量数据监测方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
