[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，即使在以包围与指形状的源电极、漏电极连接的各N＋型源极层、N＋型漏极层的方式构成P＋型接触层的情况下，在施加浪涌电压时各指部的寄生双极晶体管也均匀地接通。以包围互相平行延伸的多个N＋型源极层（9）、N＋型漏极层（8）的方式形成P＋型接触层（10）。在N＋型源极层（9）上、N＋型漏极层（8）上及向与N＋型源极层（9）延伸的方向垂直的方向延伸的P＋型接触层（10）上分别形成金属硅化物层（9a、8a、10a）。经由形成于在金属硅化物层（9a、8a、10a）上堆积的层间绝缘膜（13）的接触孔（14），形成与该各金属硅化物层连接的指形状的源电极（15）、漏电极（16）及包围该指形状的各电极的P＋型接触电极（17）。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体层，其由元件分离绝缘膜分离；第二导电型的阱层，其形成于所述半导体层的表面；多个第二导电型的体层，其在所述阱层的表面互相向平行方向延伸；第一导电型的源极层及第一导电型的漏极层，其交互形成于所述多个体层的表面；第二导电型的接触层，其以包围所述源极层、所述漏极层的方式形成于与所述元件分离绝缘膜邻接的区域的所述阱层及所述体层的表面；栅电极，其横跨在所述源极层与所述漏极层的之间的所述体层及所述阱层上，经由栅极绝缘膜形成；金属硅化物层，其形成于所述源极层、所述漏极层及所述接触层中的向与所述源极层延伸的方向垂直的方向延伸的区域的该接触层各自的表面；指形状的源电极、漏电极及包围该源电极、漏电极形成的接触电极，其经由形成于在所述金属硅化物层上所堆积的层间绝缘膜的接触孔，与所述各金属硅化物层分别连接。