[发明专利]单层多晶非易失性存储器单元

摘要

本发明公开了一种单层多晶非易失性存储器单元，包括：半导体衬底；耦合电容器，其位于半导体衬底的第一有源区中；以及检测晶体管和隧道电容器，均位于共享的半导体衬底的第二有源区处，隧道电容器与检测晶体管的栅极并联配置；其中，耦合电容器、检测晶体管和隧道电容器共享一个共用的浮置栅电极，并且检测晶体管包括源极区和漏极区，它们被配置为使得隧道电容器由介于浮置栅电极与检测晶体管的源极区之间的重叠区域来限定。字线接触块可以是与耦合电容器分隔开的有源区。这些和/或其他特征可有助于降低夫伦克尔‑普尔导电机制。

主权项

一种非易失性存储器单元，包括：半导体衬底；耦合电容器，其位于所述半导体衬底的第一有源区中；以及检测晶体管和隧道电容器，均位于所述半导体衬底的共享的第二有源区处，所述隧道电容器与所述检测晶体管的栅极并联配置；所述半导体衬底的第三有源区，其支持用于字线的接触块，所述第三有源区位于所述第一有源区的第一掺杂阱中，但下降至所述半导体衬底中的第一深度，并通过浅沟槽隔离区与所述第一有源区分隔开，其中，所述第一深度小于所述第一有源区的所述第一掺杂阱的深度，且所述第三有源区通过所述第一有源区的所述第一掺杂阱的在所述第一深度以下延伸的那部分电学连接至所述耦合电容器；其中，所述耦合电容器、所述检测晶体管和所述隧道电容器共享一个单一浮置栅电极，所述检测晶体管和所述隧道电容器共享介电层，并且所述检测晶体管包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区被配置为使得所述隧道电容器由所述浮置栅电极与所述检测晶体管的源极区之间的重叠区域来限定；其中，所述耦合电容器由所述浮置栅电极和第一有源区的第一掺杂阱之间的重叠区域来限定。