[发明专利]一种带高反射层的微型发光二极管芯片无效
| 申请号： | 201210189967.X | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709437A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张建宝;吴继清 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种带高反射层的微型发光二极管芯片，该芯片包括P型GaN层、N型GaN层以及分别制作在P型GaN层和N型GaN层上的P型焊盘和N型焊盘，本发明的优点在于：本发明制备出的LED芯片尺寸极小，极大地减少了生产成本和芯片体积。本发明中P型外延层上无透明电极扩散层，相对传统LED芯片，其加工过程简单。另外，本发明的GaN外延层厚度7-10µm，较厚的外延层厚度有效的提高了侧面出光效率，解决了微型芯片的亮度过低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射层 微型 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种带高反射层的微型发光二极管芯片，该芯片包括P型GaN层、位于N型GaN层上的P型GaN层、以及分别制作在P型GaN层和N型GaN层上的P型焊盘和N型焊盘，其特征在于：该芯片尺寸，长度50‑180 µm，宽度30‑100 µm，其发出的光通过N型焊盘及P型焊盘下面的高反射层的反射作用从侧面提取；N型焊盘及P型焊盘带有高反射作用的高反射膜层，该膜层为具有低吸收和高反射作用的金属层。
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