[发明专利]NMOS开关器件的制作方法有效
| 申请号： | 201210187139.2 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035530A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 石晶;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NMOS开关器件的制作方法，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。本发明能有效降低源漏结电容，提高器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 开关 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS开关器件的制作方法，包括如下步骤：步骤1，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；步骤2，向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；其特征在于，还包括：步骤3，在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；步骤4，在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；步骤5，在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；步骤6，在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；步骤7，选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
