[发明专利]NMOS开关器件的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及本导体集成电路领域，特别是涉及一种NMOS（金属-氧化物-半导体）开关器件的制作方法。

背景技术

半导体产品具有广阔的应用市场，在工业、农业、军事和民用等领域，半导体产品在控制、监测、娱乐等方面起着越来越重要的作用。因此全世界已经形成一个规模膨大的产业，发达国家如欧美日首先掌握半导体从设计到制造的先进技术；亚洲地区如韩国、台湾从半导体制造入手，也占有一席之地；中国作为发展中国家，因为拥有巨大的市场在最近十年也大力支持半导体集成电路生产技术的研发。IC（集成电路）产品种类繁多，如功率器件，射频器件，模拟和数字电路等。不同的应用需求也引领IC产品生产技术朝不同的方向发展。功率和电力电子器件的发展方向是更高电压，更强电流和更大功率，而对器件尺寸并不是很敏感。而数字电路的发展方向则是更低的功耗，更高的集成度（更小的器件尺寸），更快的速度。因此数字电路产品的生产需要的是最先进的生产技术，以求在产品的性能和成本的平衡之间取得更高的产品利润。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种NMOS开关器件的制作方法，能有效降低源漏结电容，提高器件的阈值电压。

为解决上述技术问题，本发明的NMOS开关器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤1，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；

步骤2，向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；

步骤3，在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；

步骤4，在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；

步骤5，在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；

步骤6，在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；

步骤7，选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。

本发明基于常规NMOS器件结构，在P型衬底上直接进行器件的源漏注入，改变源漏结杂质分布，使得源漏区域与衬底之间的源漏结电容有效降低；同时，在沟道区域通过P型杂质的注入，提高NMOS的阈值电压，有利于交流信号时MOS开关的关断，增加隔离度。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是器件的耗尽区分布示意图；

图2是刻蚀场氧区示意图；

图3是场氧填充示意图；

图4是沟道掺杂注入示意图；

图5是形成栅氧化层示意图；

图6是多晶硅淀积示意图；

图7是多晶硅栅极形成示意图；

图8是侧墙形成示意图；

图9是进行源漏离子注入，最终形成的器件结构示意图；

图10是所述NMOS开关器件的制作方法流程图。

具体实施方式

结合图10所示，在本发明的一实施例中，所述NMOS开关器件的制作方法包括如下步骤：

步骤1，参见图2所示，在P型衬底101的上端利用有源区光刻，打开浅槽区域并刻蚀形成场氧区102。

步骤2，参见图3所示，向所述场氧区102填入氧化硅，并进行化学机械抛光。

步骤3，参见图4所示，在P型衬底101的上端，位于场氧区102之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区103。所述P型杂质为硼，注入的剂量范围为1e12～1e14cm^-2，注入能量范围5～100KeV；通过P型杂质的注入，提高沟道掺杂区103的掺杂浓度，从而提高NMOS开关器件的阈值电压。

步骤4，参见图5所示，在所述P型衬底101的上端面，利用热氧化形成栅氧化层104，该栅氧化层104的厚度由器件特性要求决定。

步骤5，参见图6、7所示，在所述栅氧化层104的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极105区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极105。

步骤6，参见图8所示，在所述多晶硅栅极105的两侧淀积并干刻氧化硅层，形成侧墙106。

步骤7，参见图9所示，在侧墙106形成后，选择性的进行常规的源漏离子注入，形成位于场氧区102和沟道掺杂区103之间的N型源漏区域107。所述源漏离子注入的杂质可为磷或砷，注入剂量为高水平，注入的剂量范围为5e14~1e16cm^-2，注入能量范围20~500KeV。