[发明专利]NMOS开关器件的制作方法

权利要求书

1.一种NMOS开关器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤1，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；

步骤2，向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；

其特征在于，还包括：

步骤3，在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；

步骤4，在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；

步骤5，在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；

步骤6，在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；

步骤7，选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3所述的P型杂质为硼，注入的剂量范围为1e12～1e14cm^-2，注入能量范围为5～100KeV。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5所述的栅氧化层的厚度由器件特性要求决定。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤7所述源漏离子注入，注入的杂质为磷或砷，注入的剂量范围为5e14～1e16cm^-2，注入能量范围为20～500KeV。