[发明专利]在基于沟槽的碳化硅功率器件中的分裂栅结构有效
| 申请号： | 201210181116.0 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102832247A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 安荷·叭剌;马督儿·博德;管灵鹏 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 集成结构含有多个分裂栅沟槽MOSFET。多个沟槽形成在碳化硅衬底组合中，每个沟槽都内衬一个钝化层，每个沟槽都基本用第一导电区和第二导电区填充，绝缘材料的介电常数与碳化硅衬底组合的介电常数接近。第一导电区通过绝缘材料与钝化层分开。第一和第二导电区形成集成结构的每个沟槽MOSFET的栅极区。第一导电区和第二导电区被钝化层分开。第一导电类型的掺杂本体区形成在衬底组合的上部，第二导电类型的掺杂源极区形成在掺杂本体区内。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沟槽 碳化硅 功率 器件 中的 分裂 结构 | ||
【主权项】：
一种含有多个分裂栅沟槽MOSFET的集成结构，其特征在于，包括：a）一个碳化硅衬底组合；b）多个形成在碳化硅衬底组合内的沟槽，每个沟槽内衬一个钝化层，每个沟槽都用第一导电区和第二导电区以及一个绝缘材料填充，所述的绝缘材料的介电常数与碳化硅衬底组合的介电常数接近，第一导电区通过所述的绝缘材料与钝化层分开，第一和第二导电区形成集成结构的每个沟槽MOSFET的栅极区，第一导电区和第二导电区被钝化层分开；c）一个形成在衬底组合上部的第一导电类型的掺杂本体区；以及d）一个形成在每个沟槽附近的掺杂本体区中的第二导电类型的掺杂源极区，其中第二导电类型与第一导电类型相反。
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