[发明专利]利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201210179283.1 | 申请日： | 2012-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102719890A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 司荣进;袁志钟;杨传伟;王禄宝 | 申请（专利权）人： | 镇江环太硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 季萍 |
| 地址： | 212211 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法，包括棒料取边皮、边皮排列、填充其他物料、加入掺杂剂和投入多晶炉将单晶边皮诱导晶体定向凝固成大晶粒多晶硅等步骤。有益效果：通过本方法铸造出的的大晶粒多晶硅光电转换效率高，加工成本低、生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 单晶硅 开方 铸造 晶粒 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法，其特征在于：包括以下步骤：a) 将单晶棒按照晶向进行线开方，取下边皮；b) 将单晶边皮两端的边缘沿轴向方向各切除10 mm‑35 mm；c) 将单晶硅边皮圆弧面朝上，紧密并排或隔开一定距离平铺在坩埚底部,单晶边皮占坩埚底部的面积比例为50%‑99%；d) 单晶硅边皮放好后在再装填其他硅料，可以使用粒状料、块状料、回收料、片料，或者是它们的混合搭配；e) 加入用于调整电阻率掺杂剂硼；f) 将坩埚装好石墨护板后投入多晶炉中，控制石墨加热器的温度，使籽晶上方的硅原料和掺杂剂硼的熔化，通过控制隔热笼升起高度控制底部温度，确保坩埚底部的单晶硅边皮不被全部熔化，通过控制石墨加热器的温度和提升隔热笼，形成垂直的温度梯，单晶边皮诱导晶体定向凝固成大晶粒多晶硅。
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