[发明专利]提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构有效
| 申请号： | 201210170354.1 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102664182A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘格致;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构，包括：提供包含PMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；以及在所述拉应力凹槽内填充压应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏，而且避免了制作工艺对器件性能的干扰，并且制造工艺要求低，也有利于器件尺寸的持续缩小，同时提高了载流子迁移率从而改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 载流子 迁移率 pmos 器件 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供包含PMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；以及在所述拉应力凹槽内填充压应力材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
