[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201210170313.2 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102810333A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;南炳燮;李杲炫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置，半导体存储装置包括边界电路单元，所述边界电路单元位于低电压页缓冲器与高电压页缓冲器之间，并具有被配置成将低电压页缓冲器与高电压页缓冲器电耦接的电路。所述边界电路单元包括：具有第一晶体管和第二晶体管的第一边界电路单元，所述第一边界电路单元被配置成经由从多个信号传输线中选中的信号传输线来接收相应的存储器单元区域的数据，所述多个信号传输线针对每列沿着第一方向延伸并布置；第二边界电路单元，所述第二边界电路单元被设置成在所述第一方向上与所述第一边界电路单元相邻，并且在所述第二边界电路单元上延伸并布置有所述多个信号传输线，以及形成所述第一晶体管的有源区与形成所述第二晶体管的有源区彼此隔离开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置包括边界电路单元，所述边界电路单元位于低电压页缓冲器与高电压页缓冲器之间，并具有被配置成将所述低电压页缓冲器与所述高电压页缓冲器电耦接的电路，其中，所述边界电路单元包括：第一边界电路单元，所述第一边界电路单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一边界电路单元被配置成经由从多个信号传输线中选中的信号传输线来接收相应的存储器单元区域的数据，所述多个信号传输线针对每列沿着第一方向延伸和布置；以及第二边界电路单元，所述第二边界电路单元被设置成在所述第一方向上与所述第一边界电路单元相邻，并且具有在所述第二边界电路单元上延伸和布置的所述多个信号传输线，以及形成所述第一晶体管的有源区与形成所述第二晶体管的有源区彼此隔离开。
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