[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210164736.3 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102800773A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金相沇;孙宗洛;金起范;李守烈;金容一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括：发光结构，包括第一和第二导电半导体层，有源层插置在第一和第二导电半导体层之间；第一和第二接合电极，分别连接到第一和第二导电半导体层；透明电极层，形成在第二导电半导体层上；多个纳米结构，形成在透明电极层上；以及钝化层，形成为覆盖多个纳米结构，其中透明电极层、多个纳米结构和钝化层的折射率可依次减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：发光结构，包括第一和第二导电半导体层，有源层插置在所述第一和第二导电半导体层之间；第一和第二接合电极，分别连接到所述第一和第二导电半导体层；透明电极层，形成在所述第二导电半导体层上；多个纳米结构，形成在所述透明电极层上；以及钝化层，形成为覆盖所述多个纳米结构，其中所述透明电极层、所述多个纳米结构和所述钝化层的折射率相继减小。
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