[发明专利]c取向蓝宝石单晶的生产方法及设备无效
| 申请号： | 201210147842.0 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102644113A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘海滨;方建雄;金启源;周虹;金镐辰;董新义 | 申请（专利权）人： | 苏州海铂晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B11/00 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种c取向蓝宝石单晶的生产方法及设备。该方法包含放籽晶、装料、抽真空、化料、芯部生长、侧向生长、出炉等工序。该设备包括加热腔体、与加热腔体配合的密封件、环绕加热腔体设置的加热元件以及与加热腔体连通的真空系统等组件。本发明通过提高氦气冷却能力、改变加热器形状和尺寸、改变坩埚形状和尺寸、在坩埚顶端加盖特定的热屏等方式改变熔体内的热场分布，使蓝宝石生长时首先呈圆锥状、球冠状及其他类似曲面生长，其次在圆锥锥面、球冠曲面及其他类似曲面上侧向生长，这样可以使固液界面与c面呈较大角度，有效避免了基面滑移，从而提高了蓝宝石单晶的晶体质量和生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 蓝宝石 生产 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种c取向蓝宝石单晶的生产方法，其特征在于，该方法为：将c向籽晶和纯度在99.999wt％以上的高纯氧化铝原料在真空环境中加热，使高纯氧化铝原料开始熔化，并使籽晶部分熔化，其后以0.1℃～2℃/h的速率缓慢降温，将固液界面控制为曲面形态，且使曲面的顶点到达自由液面，而后提高降温速率至0.2℃～5℃/h，使生长好的具有曲面结构的芯逐渐侧向生长，至熔体结晶结束，最后将生长好的晶体以4℃～100℃/h的降温速率冷却至室温，取出晶体。
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