[发明专利]晶体硅太阳电池及其制作方法

摘要

一种晶体硅太阳电池及其制作方法是，以制有PN结的晶体硅片为基片，在基片的正面和背面分别沉积一层透明导电薄膜，在正面和背面的透明导电薄膜上分别电镀铜栅线电极。本发明用TCO取代SiNx，电镀铜取代丝网印刷银栅线。电镀铜取代丝网印刷银栅线，一方面可以把电极栅线做到更精细、遮光面积更小，另外一方面铜取代银，成本更低。TCO具有高透光率和导电性，一方面能取代SiNx的减反射膜和钝化作用，另外一方面有一定的收集电流的作用，从而可以减少栅线数量，更重要的是还能阻挡电镀铜渗入硅中，克服了硅电池直接电镀铜的缺点。此外，TCO生产设备价格远低于SiNx生产设备。TCO和电镀铜两者的结合，制作成本低廉，制备工艺简单，能有效提高电池的效率。

主权项

一种晶体硅太阳电池，其特征在于：包括制有PN结的晶体硅片，在制有PN结的晶体硅片的正面和背面分别沉积一层透明导电薄膜，在正面和背面的透明导电薄膜上分别电镀铜栅线电极。